IXFT50N60X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFT50N60X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 660 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-268
Búsqueda de reemplazo de IXFT50N60X MOSFET
IXFT50N60X PDF Specs
ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf
Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT50N60X Power MOSFET ID25 = 50A IXFQ50N60X RDS(on) 73m IXFH50N60X N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D VDGR TJ = 25 C to 1... See More ⇒
ixfh42n20 ixfm42n20 ixfh58n20 ixfm58n20 ixft50n20 ixfh50n20 ixfm50n20 ixft58n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs 200 V 42 A 60mW IXFH/IXFM42N20 200 V 50 A 45mW IXFH/IXFM/IXFT50N20 200 V 58 A 40mW IXFH/IXFT58N20 N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family TO-247 AD (IXFH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case Style VG... See More ⇒
ixft50n85xhv ixfh50n85x ixfk50n85x.pdf
X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT50N85XHV Power MOSFET ID25 = 50A IXFH50N85X RDS(on) 105m IXFK50N85X TO-268HV (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Co... See More ⇒
ixft50n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs 200 V 42 A 60mW IXFH/IXFM42N20 200 V 50 A 45mW IXFH/IXFM/IXFT50N20 200 V 58 A 40mW IXFH/IXFT58N20 N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family TO-247 AD (IXFH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case Style VG... See More ⇒
Otros transistores... IXFX12N90Q , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , 75N75 , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , IXFT40N50Q , IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q , IXFT28N50Q .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K | AP40N06K | AP4013S | AP4008SD | AP4688S | AP4606 | AP4580 | AP4435C | AP4410 | AP4409S | AP4407C
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73