IXFT150N20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFT150N20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 177 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFT150N20T

IXFT150N20T Datasheet (PDF)

..1. Size:180K ixys
ixfh150n20t ixft150n20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 200VIXFT150N20TPower MOSFETs ID25 = 150AIXFH150N20T RDS(on) 15m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VTO-247 (IX

6.1. Size:182K ixys
ixfh150n17t2 ixft150n17t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTMVDSS = 175VIXFH150N17T2ID25 = 150APower MOSFETIXFT150N17T2 RDS(on) 12.0m trr 160nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 175 VGVDGR TJ = 25C to 175C, RG

8.1. Size:111K ixys
ixfh15n80q ixft15n80q.pdf

IXFH 15N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFT 15N80Q ID25 = 15 APower MOSFETsRDS(on) = 0.60 WQ-Classtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C15 AIDM

8.2. Size:116K ixys
ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 WPower MOSFETsIXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 Wtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary data sheetTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V(TAB)VGS Continuous

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: