IXFT150N20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFT150N20T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-268
Búsqueda de reemplazo de IXFT150N20T MOSFET
IXFT150N20T Datasheet (PDF)
ixfh150n20t ixft150n20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 200VIXFT150N20TPower MOSFETs ID25 = 150AIXFH150N20T RDS(on) 15m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VTO-247 (IX
ixfh150n17t2 ixft150n17t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTMVDSS = 175VIXFH150N17T2ID25 = 150APower MOSFETIXFT150N17T2 RDS(on) 12.0m trr 160nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 175 VGVDGR TJ = 25C to 175C, RG
ixfh15n80q ixft15n80q.pdf

IXFH 15N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFT 15N80Q ID25 = 15 APower MOSFETsRDS(on) = 0.60 WQ-Classtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C15 AIDM
ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 WPower MOSFETsIXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 Wtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary data sheetTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V(TAB)VGS Continuous
Otros transistores... IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q , IXFT28N50Q , IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q , IRF9640 , IXFT12N100QHV , IXFT120N25T , IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F .
History: 4N80L-TF2-T | OSG90R1K2KF | IRFSL38N20D | PSMN9R0-30LL | 2SJ650 | 30N06G-TF3-T | AON7530
History: 4N80L-TF2-T | OSG90R1K2KF | IRFSL38N20D | PSMN9R0-30LL | 2SJ650 | 30N06G-TF3-T | AON7530



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet