IXFK90N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFK90N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK90N60X

IXFK90N60X Datasheet (PDF)

..1. Size:197K ixys
ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFK90N60XPower MOSFET ID25 = 90AIXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VSVGSS

7.1. Size:111K ixys
ixfk90n20 ixfn100n20 ixfn106n20.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

7.2. Size:125K ixys
ixfx90n30 ixfk90n30.pdf

IXFX 90N30 VDSS = 300 VHiPerFETTMIXFK 90N30 ID25 = 90 APower MOSFETsRDS(on) = 33 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capabi

7.3. Size:52K ixys
ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 VIXFK 90N20Q ID25 = 90 APower MOSFETs RDS(on) = 22 mQ-CLASSSingle MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trrPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: