IXFH24N60X Todos los transistores

 

IXFH24N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH24N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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IXFH24N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ixys
 ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA24N60XPower MOSFET ID25 = 24AIXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60XIXFH24N60XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXFP)Avalanche RatedTO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 7.1. Size:158K  ixys
 ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETsIXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to

 7.2. Size:145K  ixys
 ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on)Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 7.3. Size:122K  ixys
 ixft24n90p ixfh24n90p.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

Preliminary Technical InformationVDSS = 900VIXFH24N90PPolarTM Power MOSFETID25 = 24AIXFT24N90PHiPerFETTM RDS(on) 420m N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

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History: AP05N20GH | FDG327NZ | VS3618AS | MTP15N15 | FQD4N25 | FCD4N60 | STS6415

 

 
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