IXFH24N60X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH24N60X  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO-247

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IXFH24N60X datasheet

 ..1. Size:155K  ixys
 ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA24N60X Power MOSFET ID25 = 24A IXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60X IXFH24N60X N-Channel Enhancement Mode TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrinsic Diode G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 7.1. Size:158K  ixys
 ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETs IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to

 7.2. Size:145K  ixys
 ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on) Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

 7.3. Size:122K  ixys
 ixft24n90p ixfh24n90p.pdf pdf_icon

IXFH24N60X

Preliminary Technical Information VDSS = 900V IXFH24N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 24A IXFT24N90P HiPerFETTM RDS(on) 420m N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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