IXFA24N60X Todos los transistores

 

IXFA24N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA24N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA
 

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IXFA24N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ixys
 ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf pdf_icon

IXFA24N60X

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA24N60XPower MOSFET ID25 = 24AIXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60XIXFH24N60XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXFP)Avalanche RatedTO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 9.1. Size:249K  1
 ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf pdf_icon

IXFA24N60X

Preliminary Technical InformationVDSS = 300VX3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3ID25 = 26APower MOSFETIXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 9.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFA24N60X

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo

 9.3. Size:157K  ixys
 ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf pdf_icon

IXFA24N60X

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFA20N50P3ID25 = 20APower MOSFETsIXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3Avalanche RatedTO-220AB (IXFP)Fast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

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