IXFA22N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA22N65X2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 390 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1530 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFA22N65X2

IXFA22N65X2 Datasheet (PDF)

1.1. ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf Size:168K _ixys

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA22N65X2 Power MOSFET ID25 = 22A IXFP22N65X2   RDS(on)    160m     IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25C to 150C 650 V VDGR TJ = 25C to

1.2. ixfa22n65x2.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXFA22N65X2 IIXFA22N65X2 ·DESCRIPTION ·Drain Current : I = 22A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage : V = 650V(Min) DSS ·100% Avalanche Rated ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS . ·Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·AC and DC Moto

2.1. ixfa22n60p3.pdf Size:179K _ixys

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600V IXFA22N60P3 ID25 = 22A Power MOSFETs IXFP22N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 360mΩ ≤ Ω ≤ Ω IXFQ22N60P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH22N60P3 TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G D Tab S G S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V S VDGR

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Liste

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