IXFA14N60P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFA14N60P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 327 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263AA
Búsqueda de reemplazo de IXFA14N60P3 MOSFET
Principales características: IXFA14N60P3
ixfa14n60p3 ixfh14n60p3.pdf
Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA14N60P3 Power MOSFETs ID25 = 14A IXFP14N60P3 RDS(on) 540m IXFH14N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15
ixfa14n60p ixfh14n60p ixfp14n60p.pdf
IXFA 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 14N60P ID25 = 14 A Power MOSFET IXFP 14N60P RDS(on) 550 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S (TAB) VGS Continuous 30 V V
ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf
IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V
ixfp12n65x2m ixfp12n65x2 ixfa12n65x2 ixfh12n65x2.pdf
X2-Class HiPERFET VDSS = 650V IXFA12N65X2 Power MOSFET ID25 = 12A IXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM Tr
Otros transistores... IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 , IXFA20N50P3 , IXFA18N60X , IXFA16N60P3 , IXFA16N50P3 , EMB04N03H , IPZ65R095C7 , IPZ65R065C7 , IPZ65R045C7 , IPZ65R019C7 , IPZ60R099C7 , IPZ60R040C7 , IPW65R420CFD , IPW65R310CFD .
History: 2N7278 | 2N7334
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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