IPS075N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS075N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IPS075N03L datasheet

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IPS075N03L

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IPS075N03L

Type IPD075N03L G IPF075N03L G IPS075N03L G IPU075N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l

 0.1. Size:1189K  infineon
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IPS075N03L

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Otros transistores... IPT012N08N5, IPT007N06N, IPT004N03L, IPS65R950C6, IPS65R1K5CE, IPS65R1K4C6, IPS65R1K0CE, IPS090N03L, IRFP250, IPS060N03L, IPS050N03L, IPS040N03L, IPS031N03L, IPP65R660CFDA, IPP65R420CFD, IPP65R310CFDA, IPP65R310CFD