IPS075N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPS075N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de IPS075N03L MOSFET
IPS075N03L Datasheet (PDF)
ipd075n03l ips075n03l.pdf
pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI
ipd075n03l ipf075n03l ips075n03l ipu075n03l.pdf
Type IPD075N03L G IPF075N03L GIPS075N03L G IPU075N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l
ipd075n03lg ipd075n03lg ipf075n03lg ips075n03lg ipu075n03lg.pdf
pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI
Otros transistores... IPT012N08N5 , IPT007N06N , IPT004N03L , IPS65R950C6 , IPS65R1K5CE , IPS65R1K4C6 , IPS65R1K0CE , IPS090N03L , IRFP250 , IPS060N03L , IPS050N03L , IPS040N03L , IPS031N03L , IPP65R660CFDA , IPP65R420CFD , IPP65R310CFDA , IPP65R310CFD .
History: IPP65R310CFDA | DH060N07D
History: IPP65R310CFDA | DH060N07D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606

