IPP50R190CE MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPP50R190CE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP50R190CE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de IPP50R190CE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IPP50R190CE datasheet

..1. Size:2210K infineon
ipa50r190ce ipp50r190ce ipw50r190ce.pdf pdf_icon

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R190CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPW50R190CE, IPP50R190CE, IPA50R190CE TO-247 TO-220 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the s

..2. Size:1874K infineon
ipw50r190ce ipp50r190ce.pdf pdf_icon

IPW50R190CE, IPP50R190CE MOSFET PG-TO 247 PG-TO 220 500V CoolMOS CE Power Transistor tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation while representing a co

..3. Size:245K inchange semiconductor
ipp50r190ce.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R190CE IIPP50R190CE FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.19 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-S

6.1. Size:550K infineon
ipp50r199cp.pdf pdf_icon

IPP50R199CP C IMOSTM # A0

Otros transistores... IPP60R160P6, IPP60R125P6, IPP60R099P6, IPP60R099C7, IPP60R074C6, IPP60R040C7, IPP50R500CE, IPP50R280CE, IRF3205, IPP410N30N, IPP25N06S3-25, IPP220N25NFD, IPP14N03LA, IPP147N03L, IPP120N20NFD, IPP110N20NA, IPP100N06S3L-04

IPP50R190CE Todos los transistores