IPP100N06S3L-04 Todos los transistores

 

IPP100N06S3L-04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP100N06S3L-04
   Código: 3PN06L04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 362 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPP100N06S3L-04 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:193K  infineon
 ipi100n06s3l-04 ipp100n06s3l-04.pdf pdf_icon

IPP100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04IPI100N06S3L-04, IPP100N06S3L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 3.5mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Av

 0.2. Size:190K  infineon
 ipp100n06s3l-03.pdf pdf_icon

IPP100N06S3L-04

IPB100N06S3L-03IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 2.7mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Av

 4.1. Size:159K  infineon
 ipb100n06s2l-05 ipp100n06s2l-05.pdf pdf_icon

IPP100N06S3L-04

IPB100N06S2L-05IPP100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 4.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 4.2. Size:155K  infineon
 ipb100n06s2-05 ipp100n06s2-05.pdf pdf_icon

IPP100N06S3L-04

IPB100N06S2-05IPP100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 4.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedT

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AFC3346W

 

 
Back to Top

 


 
.