IPP023N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPP023N08N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP023N08N5

IPP023N08N5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1808K infineon
ipp023n08n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPP023N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPP023N08N5TO-220-31 DescriptiontabFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

6.1. Size:583K infineon
ipb023n04n ipp023n04ng ipb023n04ng.pdf

pe IPP023N04N GIPB023N04N G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 4 D Q &( , - 7@B ( + :?8 2?5 . ?:?D6BBEAD:3=6 )@G6B ,EAA=I R m , @? >2H 1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CI DQ ' 492??6=Q '@B>2= =6F6=Q . =DB2 =@G @? B6C:CD2?46 RD n)Q F2=2?496 D6CD65Q )3 7B66 A=2D:?8 + @", 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type #) ' '

6.2. Size:245K infineon
ipp023n04n-g ipb023n04n-g.pdf

Type IPP023N04N GIPB023N04N GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply R 2.3mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel Normal level Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Hal

6.3. Size:245K inchange semiconductor
ipp023n04n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP023N04N,IIPP023N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor ORing and Uninterruptible Power SupplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEP01T13LL | 2SJ267

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: