IRFP451 Todos los transistores

 

IRFP451 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP451

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 450 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 120(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 50(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600(max) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO218

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IRFP451 Datasheet (PDF)

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IRFP451
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IRFP451
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP451FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

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