IRFP448PBF Todos los transistores

 

IRFP448PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP448PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IRFP448PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1663K  vishay
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IRFP448PBF

IRFP448, SiHFP448Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Fast SwitchingQgs (nC) 8.4 Ease of ParallelingQgd (nC) 50 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead

 7.1. Size:864K  international rectifier
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IRFP448PBF

PD - 94899IRFP448PbF Lead-Free12/18/03Document Number: 91229 www.vishay.com1IRFP448PbFDocument Number: 91229 www.vishay.com2IRFP448PbFDocument Number: 91229 www.vishay.com3IRFP448PbFDocument Number: 91229 www.vishay.com4IRFP448PbFDocument Number: 91229 www.vishay.com5IRFP448PbFDocument Number: 91229 www.vishay.com6IRFP448PbFTO-247AC Package O

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IRFP448PBF

IRFP448, SiHFP448Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Fast SwitchingQgs (nC) 8.4 Ease of ParallelingQgd (nC) 50 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

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IRFP448PBF

IRFP448, SiHFP448Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.60RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 84 Fast SwitchingQgs (nC) 8.4 Ease of ParallelingQgd (nC) 50 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

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History: SI7703EDN

 

 
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