IRFP7718PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFP7718PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 517 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Encapsulados: TO247AC
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IRFP7718PBF datasheet
irfp7718pbf.pdf
StrongIRFET IRFP7718PbF Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications VDSS 75V D Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 1.45m Synchronous rectifier applications 1.80m G max Resonant mode power supplies ID (Silicon Limited)
irfp7530pbf.pdf
StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00m G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup
irfp7430pbf.pdf
StrongIRFETTM IRFP7430PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Brushed Motor drive applications l BLDC Motor drive applications D VDSS 40V l Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.0m l Half-bridge and full-bridge topologies max. 1.3m l Synchronous rectifier applications G l Resonant mode power supplies ID (Silicon Limited) 404A l OR-ing and redundant power switches S ID
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Liste
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