FCU2250N80Z Todos los transistores

 

FCU2250N80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCU2250N80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FCU2250N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  fairchild semi
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FCU2250N80Z

January 2015FCU2250N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 2.6 A, 2.25 Features Description RDS(on) = 1.87 (Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1.1 uJ

 ..2. Size:470K  onsemi
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FCU2250N80Z

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: DMN6075S | IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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