FCU7N60TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCU7N60TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FCU7N60TU datasheet

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FCU7N60TU

December 2008 TM SuperFET FCD7N60 / FCU7N60 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.53 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=23nC) lower gate charge performan

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FCU7N60TU

December 2008 TM SuperFET FCD7N60 / FCU7N60 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.53 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=23nC) lower gate charge performan

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