FDB20AN06A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB20AN06A0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

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FDB20AN06A0 datasheet

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FDB20AN06A0

December 2013 FDB20N50F N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500 V, 20 A, 260 m Features Description RDS(on) = 220 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 10 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 50 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 27

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FDB20AN06A0

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