IRFP9240 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP9240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IRFP9240 datasheet

 ..1. Size:785K  international rectifier
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IRFP9240

PD - 95057 IRFP9240PbF Lead-Free 2/26/04 Document Number 91239 www.vishay.com 1 IRFP9240PbF Document Number 91239 www.vishay.com 2 IRFP9240PbF Document Number 91239 www.vishay.com 3 IRFP9240PbF Document Number 91239 www.vishay.com 4 IRFP9240PbF Document Number 91239 www.vishay.com 5 IRFP9240PbF Document Number 91239 www.vishay.com 6 IRFP9240PbF TO-247AC Pac

 ..2. Size:756K  international rectifier
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IRFP9240

PD - 95057 IRFP9240PbF Lead-Free www.irf.com 1 2/26/04 IRFP9240PbF 2 www.irf.com IRFP9240PbF www.irf.com 3 IRFP9240PbF 4 www.irf.com IRFP9240PbF www.irf.com 5 IRFP9240PbF 6 www.irf.com IRFP9240PbF TO-247AC Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) - D - 3.65 (.143) 5.30 (.209) 15.90 (.626) 3.55 (.140) 4.70 (.185) 15.30 (.602) 0.25 (.010) M D

 ..3. Size:490K  samsung
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IRFP9240

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IRFP9240

IRFP9240, SiHFP9240 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 V Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (Max.) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 44 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 7.1 Fast Switching Qgd (nC) 27 Ease of Paralleling Configuration Single Simple

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