FDC602PF095 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDC602PF095
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDC602PF095

FDC602PF095 Datasheet (PDF)

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April 2001 FDC602P P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged 5.5 A, 20 V R = 35 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSgate version of Fairchilds advanced PowerTrench R = 50 m @ V = 2.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications with a wide range of

7.2. Size:65K fairchild semi
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7.3. Size:877K cn vbsemi
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FDC602Pwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Cha

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: