FDC602PF095 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDC602PF095 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC602PF095

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

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FDC602PF095 datasheet

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April 2001 FDC602P P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged 5.5 A, 20 V R = 35 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS gate version of Fairchild s advanced PowerTrench R = 50 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS process. It has been optimized for power management applications with a wide range of

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FDC602P www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-Cha

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