FDD044AN03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD044AN03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 118 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 154 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD044AN03L

FDD044AN03L Datasheet (PDF)

..1. Size:290K fairchild semi
fdd044an03l fdu044an03l.pdf

December 2003FDD044AN03L / FDU044AN03LN-Channel PowerTrench MOSFET30V, 35A, 4.4mFeatures Applications rDS(ON) = 3.6m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and

..2. Size:309K inchange semiconductor
fdd044an03l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD044AN03LFEATURESDrain Current : I =21A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3.9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: