FDD044AN03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD044AN03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 154 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO-252AA

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FDD044AN03L datasheet

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FDD044AN03L

December 2003 FDD044AN03L / FDU044AN03L N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 4.4m Features Applications rDS(ON) = 3.6m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and

 ..2. Size:309K  inchange semiconductor
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FDD044AN03L

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD044AN03L FEATURES Drain Current I =21A@ T =25 D C Drain Source Voltage V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3.9m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Otros transistores... FDC640PF095, FDC645NF095, FDC697P, FDC697PF077, FDC699P, FDC699PF077, FDC796N, FDC796NF077, MMIS60R580P, FDD068AN03L, FDD107AN06LA0, FDD10N20LZTM, FDD14AN06LA0, FDD16AN08A0NF054, FDD20AN06A0, FDD24AN06LA0, FDD2512