FDD044AN03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD044AN03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 154 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
Búsqueda de reemplazo de FDD044AN03L MOSFET
FDD044AN03L Datasheet (PDF)
fdd044an03l fdu044an03l.pdf
December 2003FDD044AN03L / FDU044AN03LN-Channel PowerTrench MOSFET30V, 35A, 4.4mFeatures Applications rDS(ON) = 3.6m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and
fdd044an03l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDD044AN03LFEATURESDrain Current : I =21A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3.9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
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Liste
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