2N7272H4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7272H4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210(max) nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO205AF
Búsqueda de reemplazo de 2N7272H4 MOSFET
Principales características: 2N7272H4
jansr2n7272.pdf
JANSR2N7272 Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECOND GENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dose nel and P-Channel enhancement types with ratings from 100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as - Meets Pre
2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES
Otros transistores... 2N7271R1 , 2N7271R2 , 2N7271R3 , 2N7271R4 , 2N7272H , 2N7272H1 , 2N7272H2 , 2N7272H3 , AO4468 , 2N7272R , 2N7272R1 , 2N7272R2 , 2N7272R3 , 2N7272R4 , 2N7275D , 2N7275H , 2N7275R .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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