FDFS2P102 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDFS2P102

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDFS2P102 datasheet

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FDFS2P102

October 2000 FDFS2P102 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P102 combines the exceptional performance of 3.3 A, 20 V. RDS(ON) = 0.125 @ VGS = 10 V Fairchild's high cell density MOSFET with a very low forward RDS(ON) = 0.200 @ VGS = 4.5 V. voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. VF

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FDFS2P102

August 2001 FDFS2P102A Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P102A combines the exceptional 3.3 A, 20V RDS(ON) = 125 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 200 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifie

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FDFS2P102

September 2001 FDFS2P103 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P103 combines the exceptional 5.3 A, 30V RDS(ON) = 59 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 92 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifie

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FDFS2P102

June 2001 FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P106A combines the exceptional 3.0 A, 60V RDS(ON) = 110 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 140 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectif

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