IRFPF30 Todos los transistores

 

IRFPF30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFPF30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
 

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IRFPF30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  international rectifier
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IRFPF30

 ..2. Size:1714K  international rectifier
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IRFPF30

PD- 95717IRFPF30PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91249 www.vishay.com1IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com2IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com3IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com4IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com5IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com6IRFPF30PbFPeak Diode Recovery d

 ..3. Size:1495K  vishay
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IRFPF30

IRFPF30, SiHFPF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

 ..4. Size:1501K  vishay
 irfpf30pbf sihfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF30

IRFPF30, SiHFPF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

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History: H06N60U | 2SJ504

 

 
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