IRFPF40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFPF40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPF40
Principales características: IRFPF40
irfpf40.pdf
PD - 94888 IRFPF40PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91250 www.vishay.com 1 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 2 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 3 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 4 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 5 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 6 IRFPF40PbF TO-247AC Package O
irfpf40 sihfpf40.pdf
IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian
irfpf40pbf sihfpf40.pdf
IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian
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Liste
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