IRFPF50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPF50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO247AC

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IRFPF50 datasheet

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IRFPF50

PD - 94889 IRFPF50PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91251 www.vishay.com 1 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 2 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 3 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 4 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 5 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 6 IRFPF50PbF TO-247AC Package O

 ..2. Size:1466K  vishay
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IRFPF50

IRFPF50, SiHFPF50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.6 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 ..3. Size:1471K  infineon
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IRFPF50

IRFPF50, SiHFPF50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.6 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

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