FDP5500 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDP5500 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP5500

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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FDP5500 datasheet

..1. Size:435K fairchild semi
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April 2009 FDP5500_F085 N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7m Applications Features Typ rDS(on) = 5.1m at VGS = 10V, ID = 80A DC Linear Mode Control Typ Qg(10) = 114nC at VGS = 10V Solenoid and Motor Control Simulation Models Switching Regulators -Temperature Compensated PSPICE and SABERTM Automotive Systems Models Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Ra

..2. Size:458K fairchild semi
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9.1. Size:1209K fairchild semi
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Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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