FDU044AN03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDU044AN03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 154 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AA
Búsqueda de reemplazo de FDU044AN03L MOSFET
FDU044AN03L Datasheet (PDF)
fdd044an03l fdu044an03l.pdf

December 2003FDD044AN03L / FDU044AN03LN-Channel PowerTrench MOSFET30V, 35A, 4.4mFeatures Applications rDS(ON) = 3.6m (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A 12V Automotive Load Control Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and
Otros transistores... FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , FDT55AN06LA0 , IRLZ44N , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A .
History: STN2018 | IXKR40N60C | IXTA08N100P | FDS8949-F085 | IPI086N10N3G | STN2306
History: STN2018 | IXKR40N60C | IXTA08N100P | FDS8949-F085 | IPI086N10N3G | STN2306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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