FDU8770 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDU8770 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDU8770

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-251AA

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FDU8770 datasheet

..1. Size:308K fairchild semi
fdu8770 fdu8770 f071.pdf pdf_icon

March 2006 FDD8770/FDU8770 N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0m General Description Features Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 4.5V, ID = 35A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has bee

..2. Size:310K fairchild semi
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8.1. Size:356K fairchild semi
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May 2006 FDD8778/FDU8778 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14m Features General Description Max rDS(on) = 14.0m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 21.0m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has

8.2. Size:358K fairchild semi
fdd8778 fdu8778.pdf pdf_icon

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