FDZ294N Todos los transistores

 

FDZ294N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ294N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: BGA
 

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FDZ294N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  fairchild semi
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FDZ294N

July 2005 FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 34 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2

 9.1. Size:208K  fairchild semi
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FDZ294N

February 2006 FDZ299P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 55 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 80 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ299P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a

 9.2. Size:241K  fairchild semi
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FDZ294N

February 2006 FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 1.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 40 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 Vpackaging, the FDZ291P minimizes both PCB space RDS(ON) = 160 m @ VGS = 1.5 V and

 9.3. Size:240K  fairchild semi
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FDZ294N

Feb 2006 FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V rDS(on) = 46 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 72 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a

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History: HM10P10D | LSB55R050GT | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP

 

 
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