FDZ4670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDZ4670
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: FLFBGA3.5X4.0
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDZ4670
FDZ4670 Datasheet (PDF)
fdz4670.pdf
May 2007FDZ4670tmN-Channel PowerTrenchMOSFET BGA 30V, 25A, 2.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichilds 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5Aand rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin
fdz4670s.pdf
March 2008FDZ4670StmN-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19APCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package: l
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Liste
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