ZVN0106A Todos los transistores

 

ZVN0106A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVN0106A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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ZVN0106A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  njs
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ZVN0106A

 9.1. Size:53K  diodes
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ZVN0106A

N-CHANNEL ENHANCEMENT4A ZVN0124AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 1 MARCH 94FEATURES* 240 Volt VDS* RDS(on)=16GS=10V7V5VAPPLICATIONS4VD* Telephone handsets G SE-Line3VTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 240 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 160 mAPulsed Drain Current IDM 2A

 9.2. Size:22K  diodes
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ZVN0106A

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDS* RDS(on)=16APPLICATIONSD* Telephone handsets G SE-LineREFER TO ZVN0124A FOR GRAPHSTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 160 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate S

 9.3. Size:39K  zetex
 zvn0124astoa zvn0124astob zvn0124astz.pdf pdf_icon

ZVN0106A

N-CHANNEL ENHANCEMENT4A ZVN0124AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 1 MARCH 94FEATURES* 240 Volt VDS* RDS(on)=16GS=10V7V5VAPPLICATIONS4VD* Telephone handsets G SE-Line3VTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 240 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 160 mAPulsed Drain Current IDM 2A

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History: ELM14466AA | CMNDM8001 | S85N042RP | BSC014N04LSI

 

 
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