ZVN0124ASTOB MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ZVN0124ASTOB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVN0124ASTOB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 240 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVN0124ASTOB datasheet

..1. Size:39K zetex
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N-CHANNEL ENHANCEMENT 4A ZVN0124A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 1 MARCH 94 FEATURES * 240 Volt VDS * RDS(on)=16 GS=10V 7V 5V APPLICATIONS 4V D * Telephone handsets G S E-Line 3V TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 2V Drain-Source Voltage VDS 240 V 8 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 160 mA Pulsed Drain Current IDM 2A

6.1. Size:53K diodes
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8.1. Size:22K diodes
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N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 200 Volt VDS * RDS(on)=16 APPLICATIONS D * Telephone handsets G S E-Line REFER TO ZVN0124A FOR GRAPHS TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 200 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 160 mA Pulsed Drain Current IDM 2A Gate S

9.1. Size:51K njs
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