2N7272R2 Todos los transistores

 

2N7272R2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7272R2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 max nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO205AF

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2N7272R2 datasheet

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2N7272R2

 8.1. Size:45K  intersil
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2N7272R2

JANSR2N7272 Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECOND GENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dose nel and P-Channel enhancement types with ratings from 100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as - Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7272R2

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

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