IRFPC40PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPC40PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-247

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IRFPC40PBF datasheet

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IRFPC40PBF

PD - 94933 IRFPC40PbF Lead-Free 1/8/04 Document Number 91240 www.vishay.com 1 IRFPC40PbF Document Number 91240 www.vishay.com 2 IRFPC40PbF Document Number 91240 www.vishay.com 3 IRFPC40PbF Document Number 91240 www.vishay.com 4 IRFPC40PbF Document Number 91240 www.vishay.com 5 IRFPC40PbF Document Number 91240 www.vishay.com 6 IRFPC40PbF TO-247AC Package Out

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IRFPC40PBF

IRFPC40, SiHFPC40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* COMPLIANT Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 60 Fast Switching Qgs (nC) 8.3 Ease of Paralleling Qgd (nC) 30 Simple Drive Requirements Configuration Single Lead (P

 7.1. Size:168K  international rectifier
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