IRFPE30PBF Todos los transistores

 

IRFPE30PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPE30PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPE30PBF

 

IRFPE30PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfpe30pbf.pdf Size:1518K _upd-mosfet

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IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available • Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 3.0 RoHS* • Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 • Fast Switching Qgs (nC) 9.6 • Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 • Simple Drive Requirements Configuration Single • Lead (P

3.1. irfpe30.pdf Size:165K _international_rectifier

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3.2. irfpe30 sihfpe30.pdf Size:1520K _vishay

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IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (?)VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directiv

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 
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MOSFET: SPA07N60C2 | SPB07N60C2 | SPP07N60C2 | SI2300A | NTD4809NHG | NTD4809NH | IPU09N03LA | IPS09N03LA | IPF09N03LA | IPD09N03LA | BSC0906NS | 2SK0123 | 2SJ455 | R9522 | R9521 |

 

 

 
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