IRFPE42 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPE42

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

 Búsqueda de reemplazo de IRFPE42 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFPE42 datasheet

 8.1. Size:871K  international rectifier
irfpe40.pdf pdf_icon

IRFPE42

PD - 94890 IRFPE40PbF Lead-Free 12/15/03 Document Number 91247 www.vishay.com 1 IRFPE40PbF Document Number 91247 www.vishay.com 2 IRFPE40PbF Document Number 91247 www.vishay.com 3 IRFPE40PbF Document Number 91247 www.vishay.com 4 IRFPE40PbF Document Number 91247 www.vishay.com 5 IRFPE40PbF Document Number 91247 www.vishay.com 6 IRFPE40PbF TO-247AC Package O

 8.2. Size:1490K  vishay
irfpe40pbf.pdf pdf_icon

IRFPE42

IRFPE40, SiHFPE40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 17 Qgd (nC) 72 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D Lea

 8.3. Size:830K  vishay
irfpe40.pdf pdf_icon

IRFPE42

IRFPE40 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt rating VDS (V) 800 Repetitive avalanche rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Isolated central mounting hole Qg (Max.) (nC) 130 Fast switching Qgs (nC) 17 Qgd (nC) 72 Ease of paralleling Configuration Single Simple drive requirements D Material categorization fo

Otros transistores... IRFPC50PBF, IRFPC60LCPBF, IRFPC60PBF, IRFPE20, IRFPE22, IRFPE30PBF, IRFPE32, IRFPE40PBF, 8205A, IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, IRFPF42