IRFPF40PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFPF40PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPF40PBF

IRFPF40PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1640K vishay
irfpf40pbf sihfpf40.pdf

IRFPF40, SiHFPF40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 16 Ease of ParallelingQgd (nC) 67 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

7.1. Size:899K international rectifier
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PD - 94888IRFPF40PbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91250 www.vishay.com1IRFPF40PbFDocument Number: 91250 www.vishay.com2IRFPF40PbFDocument Number: 91250 www.vishay.com3IRFPF40PbFDocument Number: 91250 www.vishay.com4IRFPF40PbFDocument Number: 91250 www.vishay.com5IRFPF40PbFDocument Number: 91250 www.vishay.com6IRFPF40PbFTO-247AC Package O

7.2. Size:1633K vishay
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