IRFPG30PBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFPG30PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPG30PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

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IRFPG30PBF datasheet

..1. Size:1749K international rectifier
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PD- 95718 IRFPG30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91252 www.vishay.com 1 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 2 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 3 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 4 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 5 IRFPG30PbF Document Number 91252 www.vishay.com 6 IRFPG30PbF Peak Diode Recovery d

..2. Size:1740K vishay
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IRFPG30, SiHFPG30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 5.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

7.1. Size:168K international rectifier
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7.2. Size:1733K vishay
irfpg30 sihfpg30.pdf pdf_icon

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