IRFPG30PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFPG30PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPG30PBF

IRFPG30PBF Datasheet (PDF)

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irfpg30pbf.pdf

PD- 95718IRFPG30PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91252 www.vishay.com1IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com2IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com3IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com4IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com5IRFPG30PbFDocument Number: 91252 www.vishay.com6IRFPG30PbFPeak Diode Recovery d

..2. Size:1740K vishay
irfpg30pbf sihfpg30.pdf

IRFPG30, SiHFPG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

7.1. Size:168K international rectifier
irfpg30.pdf