IRFR224PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR224PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR224PBF

IRFR224PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:523K international rectifier
irfr224pbf irfu224pbf.pdf

PD- 95237AIRFR224PbFIRFU224PbF Lead-Free12/03/04Document Number: 91271 www.vishay.com1IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com2IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com3IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com4IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com5IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com6IRFR/U22

..2. Size:351K vishay
irfr224pbf irfu224pbf sihfr224 sihfu224.pdf

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qg (Max.) (nC) 14 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224)Qgs (nC) 2.7Qgd (nC) 7.8 Available in Tape and Reel Configuration Single

7.1. Size:215K 1
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7.2. Size:175K international rectifier
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7.3. Size:509K samsung
irfr224a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.742 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteri

7.4. Size:938K vishay
irfr224 irfu224 sihfr224 sihfu224.pdf

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 14 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qgs (nC) 2.7 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224) Available in Tape and Reel

7.5. Size:287K inchange semiconductor
irfr224.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFR224FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 1.1 @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: