ZVN2106B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN2106B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN2106B

ZVN2106B Datasheet (PDF)

..1. Size:100K diodes
zvn2106b.pdf

ZVN2106B MECHANICAL DATA NCHANNEL Dimensions in mm (inches) 8.51 (0.34)9.40 (0.37)ENHANCEMENT MODE 7.75 (0.305) 8.51 (0.335)MOSFET 6.10 (0.240)6.60 (0.260)V 60VDSSI 1.2A0.89max.D(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia. R 2.0 DS(on)5.08 (0.200)typ.FEATURES Faster switching 2.54 Low Ciss 2 (0.100)1 3 In

7.1. Size:35K diodes
zvn2106g.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 NOVEMBER 1995FEATURES* 60 Volt VDSD* RDS(on)=2SCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP2106GDPARTMARKING DETAIL - ZVN2106GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 V3.0Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 710 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate Source Voltage V

7.2. Size:38K diodes
zvn2106astoa zvn2106astob zvn2106astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=2D G SE-LineID=1ATO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.5APARAMETER SYMBOL VALUE UNIT0.25ADrain-Source Voltage VDS 60 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 8As Gate Source Voltage VGS 20 VPower Diss

7.3. Size:49K diodes
zvn2106a.pdf