ZVN2106GTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN2106GTA
   Código: ZVN2106
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.71 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN2106GTA

ZVN2106GTA Datasheet (PDF)

..1. Size:27K diodes
zvn2106gta zvn2106gtc.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 NOVEMBER 1995FEATURES* 60 Volt VDSD* RDS(on)=2SCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP2106GDPARTMARKING DETAIL - ZVN2106GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 V3.0Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 710 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate Source Voltage V

6.1. Size:35K diodes
zvn2106g.pdf

7.1. Size:100K diodes
zvn2106b.pdf

ZVN2106B MECHANICAL DATA NCHANNEL Dimensions in mm (inches) 8.51 (0.34)9.40 (0.37)ENHANCEMENT MODE 7.75 (0.305) 8.51 (0.335)MOSFET 6.10 (0.240)6.60 (0.260)V 60VDSSI 1.2A0.89max.D(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia. R 2.0 DS(on)5.08 (0.200)typ.FEATURES Faster switching 2.54 Low Ciss 2 (0.100)1 3 In

7.2. Size:38K diodes
zvn2106astoa zvn2106astob zvn2106astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=2D G SE-LineID=1ATO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.5APARAMETER SYMBOL VALUE UNIT0.25ADrain-Source Voltage VDS 60 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 8As Gate Source Voltage VGS 20 VPower Diss

7.3. Size:49K diodes
zvn2106a.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: