ZVNL120ASTOB Todos los transistores

 

ZVNL120ASTOB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVNL120ASTOB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVNL120ASTOB datasheet

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ZVNL120ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 200 Volt VDS VGS= 10V * RDS(on)=10 8V 6V * Low threshold 4V D APPLICATIONS G S * Telephone handsets E-Line TO92 Compatible 3V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 2V Drain-Source Voltage VDS 200 V 8 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 180 mA Pulsed Drain

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ZVNL120ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 200 Volt VDS VGS= 10V * RDS(on)=10 8V 6V * Low threshold 4V D APPLICATIONS G S * Telephone handsets E-Line TO92 Compatible 3V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 2V Drain-Source Voltage VDS 200 V 8 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 180 mA Pulsed Drain

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ZVNL120ASTOB

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE ZVNL120G LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURES D * VDS - 200V * RDS(ON) - 10 S PARTMARKING DETAIL - ZVNL120 D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 200 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 320 mA Pulsed Drain Current IDM 2A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dis

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ZVNL120ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVNL120C MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I I TI T I D E-Line T V TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I

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