ZVP2106ASTZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVP2106ASTZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP2106ASTZ

ZVP2106ASTZ Datasheet (PDF)

..1. Size:41K diodes
zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

6.1. Size:53K diodes
zvp2106a.pdf

7.1. Size:77K diodes
zvp2106g.pdf

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

7.2. Size:15K diodes
zvp2106b.pdf

ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS - 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY

7.3. Size:61K diodes
zvp2106gta zvp2106gtc.pdf