ZVP2120ASTZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVP2120ASTZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVP2120ASTZ datasheet

 ..1. Size:88K  diodes
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ZVP2120ASTZ

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT IT D i V I VD V V i D i T ID I D i ID V I V V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). ). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V I

 6.1. Size:89K  diodes
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ZVP2120ASTZ

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2120A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT IT D i V I VD V V i D i T ID I D i ID V I V V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). ). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V I

 7.1. Size:62K  diodes
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ZVP2120ASTZ

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2120G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 - OCTOBER 1995 T V I VD D D T I D T I V S T T V D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V

 7.2. Size:79K  diodes
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ZVP2120ASTZ

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2120G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 - OCTOBER 1995 T V I VD D D T I D T I V S T T V D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V

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