ZVP2120GTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP2120GTA
Código: ZVP2120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP2120GTA
ZVP2120GTA Datasheet (PDF)
zvp2120gta zvp2120gtc.pdf
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - OCTOBER 1995 T V I VD D D T I D T I V S T T V DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V
zvp2120g.pdf
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - OCTOBER 1995 T V I VD D D T I D T I V S T T V DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V
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P-CHANNEL ENHANCEMENT0CZVP2120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatiblebleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT ITD i V I VD VV i D i T ID I D i ID V I V V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V I
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Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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