ZVP3310ASTOA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVP3310ASTOA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVP3310ASTOA datasheet

 ..1. Size:65K  diodes
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ZVP3310ASTOA

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVP3310A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V

 6.1. Size:88K  diodes
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ZVP3310ASTOA

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVP3310A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V

 7.1. Size:91K  diodes
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ZVP3310ASTOA

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 0F ZVP3310F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V s Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V I

 7.2. Size:118K  diodes
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ZVP3310ASTOA

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 0F ZVP3310F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V s Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V I

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