ZVP4105ASTZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP4105ASTZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.175 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP4105ASTZ
ZVP4105ASTZ Datasheet (PDF)
zvp4105astoa zvp4105astob zvp4105astz.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP4105AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V 8 V ID VD V V I I
zvp4105a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP4105AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V 8 V ID VD V V I I
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Liste
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