ZVP4525E6TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVP4525E6TC
   Código: P52
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.197 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP4525E6TC

ZVP4525E6TC Datasheet (PDF)

..1. Size:409K diodes
zvp4525e6ta zvp4525e6tc.pdf

ZVP4525E6250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARY(DESCRIPTIONThis 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highSOT23-6impedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device include avariety of Telecom and gener

5.1. Size:411K diodes
zvp4525e6.pdf

7.1. Size:323K diodes
zvp4525g.pdf

ZVP4525G250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14V; ID=-265mADESCRIPTIONThis 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device include av

7.2. Size:321K diodes
zvp4525gta zvp4525gtc.pdf

7.3. Size:137K diodes
zvp4525z.pdf

ZVP4525Z250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-250V; RDS(ON)=14 ; ID=-205mADESCRIPTIONThis 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedSOT89secondary breakdown. Applications benefiting from this device inclu

7.4. Size:132K diodes
zvp4525zta.pdf

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Liste

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