SI1016CX Todos los transistores

 

SI1016CX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1016CX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.396 Ohm

Encapsulados: SOT-563F

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SI1016CX datasheet

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SI1016CX

New Product Si1016CX Vishay Siliconix Complementary N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs 0.396 at VGS = 4.5 V 0.5 High-Side Switching 0.456 at VGS = 2.5 V 0.2 Ease in Driving Switches N-Channel 20 0.75 nC 0.546 at VGS = 1

 8.1. Size:124K  vishay
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SI1016CX

Si1016X Vishay Siliconix Complementary N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (mA) Definition 0.70 at VGS = 4.5 V 600 TrenchFET Power MOSFETs 0.85 at VGS = 2.5 V 500 N-Channel 20 2000 V ESD Protection Very Small Footprint 1.25 at VGS = 1.8 V 350 High-Side Switching

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SI1016CX

Si1012CR Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 1.2 V Rated VDS (V) RDS(on) ( ) ID (mA) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.396 at VGS = 4.5 V 600 Gate-Source ESD Protected 1000 V Material categorization 0.456 at VGS = 2.5 V 500 For definitions of compliance please see 20 0.75 0.546 at VGS = 1.8 V 350 www.vis

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SI1016CX

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History: SI1011X | APM2317A | STP28N60DM2 | 2SK3225

 

 

 


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