SI1046R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1046R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.606 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75-3L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1046R
SI1046R Datasheet (PDF)
si1046r.pdf
Si1046RVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V 0.606 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated20 0.501 at VGS = 2.5 V 0.505 0.92 ESD Protected: 2000 V0.660 at VGS = 1.8 V 0.15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL
si1046x.pdf
New ProductSi1046XVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.606 ESD Protected: 2000 V0.501 at VGS = 2.5 V 20 0.505 0.92 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.660 at VGS = 1.
si1040x.pdf
Si1040XVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.625 at VIN = 4.5 V 0.43 TrenchFET Power MOSFET0.890 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 0.36 1.8 V to 8 V Input1.25 at VIN = 1.8 V 0.3 1.5 V to 8 V Logic Level Control Smallest LITTLE FOOT
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Liste
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